ロイター、SKハイニックスがインテルと米国でメモリー生産協議　合弁設立も検討

SKハイニックスが米国で初めてメモリー半導体を生産する方向で、インテルとの協力策を協議していることが分かった。

ロイター通信は9月16日、複数の関係者の話として、SKハイニックスとインテルが最近、米国内でのメモリー生産に向けた協議を進めていると報じた。

SKハイニックスはロイター通信に「メモリー事業の競争力を高めるため、追加の生産拠点の構築を含むさまざまな案を検討している」と説明した。一方で「現時点で決まった事項はない」とした。

協力案の一つとして、インテルが米オハイオ州で建設中の半導体生産施設の一部をSKハイニックスが賃借する案が浮上している。ロイター通信は、インテルとSKハイニックスに加え、安定したメモリー供給を求める大手クラウド企業が参加する合弁会社の設立案も協議されていると報じた。

ただ、協議はまだ初期段階にある。合意に至った場合でも、オハイオ州で生産する製品が高帯域幅メモリー（HBM）、DRAM、NANDフラッシュのいずれになるかは決まっていないという。

一方、SKハイニックスは米インディアナ州で40億ドル（約6200億円）を投じ、次世代HBMのパッケージング施設を建設している。韓国などで生産したDRAMをHBMに組み立てる後工程の施設だ。

インテルとの協力が実現すれば、SKハイニックスにとって米国でメモリーの前工程生産に乗り出す初の事例となる見通しだ。