サムスン電子、メモリー革新でHBM5性能を2倍に

サムスン電子は9月1日、次世代メモリーの容量と帯域幅を大幅に引き上げながら、発熱問題も改善する「CUBE」戦略を公開した。第8世代の高帯域幅メモリー（HBM5）と次世代メモリー「zHBM」を前面に、人工知能（AI）メモリー時代の主導権を強化する狙いだ。

サムスン電子メモリー事業部の新事業企画チーム長を務めるチェ・ジャンソク常務は同日、台湾・台北で開かれた世界最大の半導体素材・部品・装置展示会「タイワン2026」でこの戦略を示した。CUBEは、メモリー性能を左右する容量（capacity）、最適化（utilization）、帯域幅（bandwidth）、電力・熱効率（efficiency）の頭文字を取った表現だ。単にメモリーを垂直に積み重ねるのではなく、3次元（3D）構造を活用して容量と帯域幅、電力・熱効率を同時に高めることが中核となる。

この戦略を通じ、サムスン電子はHBM5の性能をHBM4E（第7世代）に比べて2倍に高める方針だ。熱抵抗は従来のHBMの75〜90%水準に引き下げる。zHBMはHBM5を8倍上回る性能の実現を目標に掲げた。

zHBMは、HBMを画像処理装置（GPU）やニューラル・プロセシング・ユニット（NPU）などの演算用チップの上に垂直に積層した半導体を指す。既存のHBMに比べて性能と電力効率を大幅に高められる技術として知られる。サムスン電子は2028年に、次世代NAND型フラッシュメモリー「zNAND-O」の初の試作品テストを実施する構想も明らかにした。

ウォン・ジョンファン 韓経ドットコム（Hankyung.com）記者 won0403@hankyung.com