湖南半導体クラスターに最大9基　サムスン5基・SK4基を検討

民炯培・光州市長の発言

「サムスン5基、SK4基で整理されるようだ」

韓国南西部の光州軍空港跡地に整備する湖南圏の半導体クラスターで、最大9基の半導体ファブ（生産工場）が入る可能性が浮上した。

8月14日、光州市によると、韓国政府は企業需要に応じて光州の半導体国家産業団地を拡張する案を検討している。

民炯培市長は同日、光州市議会の務安庁舎で開いた市議会との非公開懇談会で、「湖南半導体クラスターは半導体ファブ4基とされているが、おととい韓国電力と半導体向け電力供給を協議した際に聞いたところ、サムスン電子5基、SKハイニックス4基の計9基で整理されるようだ」と語った。

サムスン電子とSKハイニックスはこれまで、800兆ウォン（約89兆6000億円）を投じ、それぞれ2基ずつ計4基の半導体ファブを軍空港跡地に建設すると発表していた。今回の発言は、両社がこれに加えてファブを追加で建設する可能性を示した形だ。

光州市と気候環境エネルギー部、韓国電力、サムスン電子、SKハイニックスは8月12日、「湖南圏半導体産業団地の電力供給協約」を結んだ。市によると、従来公表された通り両社が2基ずつ計4基のファブを建設するなら、電気料金の負担比率は5対5になるはずだった。だが、協約時点ではサムスンとSKの負担比率が異なっており、追加建設の可能性をうかがわせたという。

韓国政府も8月11日の閣議で、企業需要に応じて光州軍空港跡地に入る半導体国家産業団地を、従来の4基からさらに拡大する案を検討していると言及した。

826万平方メートルに及ぶ光州軍空港跡地は、半導体ファブ4基を超えて受け入れる余地がある。光州市は、2028年に軍空港跡地の引き渡しを受けて着工すれば、2029年に第1段階が完成し、2030年に量産を始められると見込んでいる。

市関係者は「2029年にまず半導体ファブ1基を整備した後、既存の4基に続いて計9基まで建設する案を政府と企業が検討していると承知している」と述べた。そのうえで「政府や企業から工場設立などの推進方針が示されれば、追加の産業団地指定申請などの手続きを準備できる」と付け加えた。

光州=イム・ドンリュル記者 exian@hankyung.com