SKハイニックス、次世代メモリーHBFの初の標準仕様を公開

SKハイニックスがサンディスクと連携し、NANDフラッシュベースの次世代ストレージ技術「高帯域幅フラッシュ（HBF）」の初の標準仕様を公開した。人工知能（AI）推論の広がりで急増する大容量データ処理需要を取り込み、HBFを軸に次世代AIメモリー市場の主導権を強化する狙いだ。

SKハイニックスは8月4日、米カリフォルニア州サンタクララのコンベンションセンターで開かれた世界最大のメモリー技術会議「FMS 2026」で、サンディスクと共同開発したHBFの初の標準仕様を公表した。SKハイニックスは2025年8月にサンディスクとの協力を始め、2026年2月にはグーグル（Google）やテンストレント（Tenstorrent）などが参加するHBFコンソーシアムを発足させた。今回の標準仕様の公表は、コンソーシアム発足から6カ月で実現した。

HBFは、DRAMベースの高帯域幅メモリー（HBM）のように、NANDを垂直に積層したAIアクセラレーター向けメモリーだ。同じ面積でDRAMよりはるかに多くのデータを格納できるため、AI推論やエージェンティックAIの拡大に伴って急増する大容量データ処理需要に対応する次世代技術と位置づけられる。電源を切ってもデータを保持するNANDの特性上、電力効率が高い。DRAMに比べて妥当な価格で大容量化しやすい点も特徴だ。

今回公表したHBFの標準仕様では、NANDダイを8段または16段に積層し、最大512ギガバイト（GB）の容量を実現する。帯域幅は1〜3等級に分け、毎秒0.4テラバイト（TB）から3.0TBまで対応する。プロセッサーとの接続方式には業界標準のUCIeを採用し、画像処理半導体（GPU）や中央演算処理装置（CPU）など幅広い半導体に柔軟に適用できるようにした。

SKハイニックスはFMS 2026で、DRAMベースのHBMとNANDベースのHBFを一つの体系でつなぎ、最適化する階層型メモリー基盤の次世代アーキテクチャーも新たな方向性として提示した。あわせて、開発中の第10世代（V10）375層4D NANDのウエハーと製品も初めて公開した。前世代に比べて電力当たり性能を2.5倍に高め、データセンター向けに最適化した。2027年初めには、これを基盤とする高性能・大容量の企業向けソリッドステートドライブ（eSSD）の量産に入る予定だ。

キム・チェヨン記者 why29@hankyung.com