UBS、来年のHBM首位はサムスン電子 シェア41%でSKハイニックス逆転
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概要
- UBSは来年のHBM市場で、サムスン電子がシェア41%となり、SKハイニックス(39%)を抜いて首位に立つと明らかにした。
- UBSは、サムスン電子が業界初のHBM4量産と生産能力の大幅拡大を通じて、HBM市場の先頭に浮上したと分析した。
- UBSは、世界のDRAMビット需要の増加率が今年の22%から来年は36%に、NANDフラッシュ需要の増加率が20%から23%に高まると見通した。
期間別予測トレンドレポート



高帯域幅メモリー(HBM)市場で、2027年はサムスン電子がSKハイニックスを抜いて首位に立つとの見方をUBSが示した。
投資銀行UBSが7月30日付で公表したリポートによると、SKハイニックスは2026年のHBM市場でビット出荷量ベースのシェア48%を占め、首位を維持する見通しだ。ただ、2027年はサムスン電子が41%となり、SKハイニックスの39%をわずかに上回ると分析した。3位のマイクロンのシェアは20%と見込んだ。
サムスン電子は第6世代のHBM4で先行し、差を広げるとUBSはみている。同社は2026年2月に業界で初めてHBM4の量産品を出荷した。生産能力も大幅に拡大し、SKハイニックスを急速に追い上げた。
もっとも、首位交代はSKハイニックスの成長鈍化を意味しないとも指摘した。UBSは世界のDRAMビット需要の増加率が2026年の22%から2027年には36%に急拡大し、NANDフラッシュ需要の増加率も同期間に20%から23%へ上昇すると見通した。
キム・チェヨン 韓国経済新聞記者 why29@hankyung.com
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