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SKハイニックス首脳陣、光州の新ファブ候補地を点検 4〜6月期は営業益60兆ウォン

出典
Korea Economic Daily

概要

  • SKハイニックスの首脳陣が光州の軍空港と周辺用地を訪れ、先端半導体ファブの建設に向けて、用地や交通、電力、用水の条件を点検した。
  • 韓国政府は、サムスン電子とSKハイニックスが光州の軍空港跡地に計800兆ウォン投資を行い、南西圏半導体メガプロジェクトを進めると発表した。2030年の初回量産を目標とする。
  • SKハイニックスは、4〜6月期の営業利益が60兆5426億ウォン、売上高が79兆3187億ウォンとなるなど過去最高業績を記録した。あわせてHBM・AIサーバー向けDRAM・eSSDの販売拡大と、2026年の40兆ウォン台後半の設備投資計画を明らかにした。

期間別予測トレンドレポート

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SKハイニックス首脳陣、光州の軍空港跡地を視察

実務陣の事前訪問に続き、新ファブ候補地を点検

写真:Shutterstock
写真:Shutterstock

四半期ベースで過去最高業績を上げたSKハイニックスの首脳陣が、光州の軍空港を訪れた。韓国政府がサムスン電子、SKハイニックスの先端半導体ファブ4基の建設候補地として示した場所を点検するためだ。実務陣の事前視察に続いて社長級幹部が現地を直接確認し、韓国南西部の半導体メガプロジェクトの具体化に向けた協議が動き始めている。

7月29日に業界関係者が明らかにしたところによると、ヨム・ソンジンSKハイニックス・コミュニケーション統括社長らSK側の関係者15人は、同日午後0時50分から1時40分まで光州の軍空港と周辺地域を視察した。

一行は用地の規模や半導体生産工場を配置できる区域を確認した。道路や鉄道などの交通網に加え、電力と用水の供給条件も点検した。現地視察後の午後2時からは光州庁舎で、ミン・ヒョンベ全羅南道・光州統合特別市長とファブ建設の進め方を協議した。

議題には軍空港の移転、産業団地の造成日程、電力や用水など中核インフラの確保策が含まれたもようだ。迅速な許認可、企業支援の枠組み、段階別の投資日程も協議したという。

今回の日程は、SKハイニックスの実務陣が7月23日に軍空港跡地を事前視察したのに続く後続訪問にあたる。実務レベルの点検が社長級協議に引き上げられた格好だ。サムスン電子の実務陣も7月25日に同じ候補地を視察したとされる。

韓国政府は6月29日、サムスン電子とSKハイニックスが光州の軍空港跡地に計800兆ウォン(約89兆8000億円)を投じ、先端半導体ファブ4基を建設する「南西圏半導体メガプロジェクト」を発表した。政府と特別市は2030年の初回量産を目標に、軍空港移転、産業団地造成、電力・用水供給網の構築、許認可手続きを並行して進める方針だ。ただ、企業ごとの投資額、着工時期、ファブ配置などは追加協議を経て確定する。

SKハイニックスは7月29日、2026年4〜6月期の連結営業利益が60兆5426億ウォン(約6兆8000億円)となり、四半期ベースで過去最高を更新したと発表した。前年同期比では557.2%増だった。売上高は79兆3187億ウォン(約8兆9100億円)で256.8%増えた。営業利益率は76%を上回った。

2026年上半期の累計売上高は131兆8950億ウォン(約14兆8100億円)となり、半期ベースで初めて100兆ウォン台に乗せた。累計営業利益は98兆1529億ウォン(約11兆円)だった。人工知能(AI)インフラ投資の拡大を追い風に、高帯域幅メモリー(HBM)、AIサーバー向けDRAM、企業向けソリッドステートドライブ(eSSD)といった高付加価値製品の販売が伸びたためだ。6月末時点の現金性資産は88兆ウォン(約9兆8800億円)、借入金は18兆6000億ウォン(約2兆900億円)だった。純現金は69兆4000億ウォン(約7兆7900億円)に拡大した。

同社は同日の決算説明会で、2027年以降も主要クラウドサービス事業者によるAIインフラ投資が堅調に続くとの見通しを示した。顧客企業と協議中のメモリー需要も同じ流れを映していると説明し、10社余りの顧客との長期供給契約交渉を終えたと明らかにした。

2026年の設備投資は、2025年より10兆ウォン(約1兆1200億円)超多い40兆ウォン台後半を見込む。ただ、生産能力の拡大は確認済みの需要をもとに機動的に進めるため、中長期の投資計画が直ちに供給過剰につながる可能性は限られるとみている。これまで公表した計画以外で、新たな生産インフラ投資に関して具体的に決まった事項はないと付け加えた。

適時供給能力を高めるため、清州M15Xの量産日程を前倒しし、2027年初めには竜仁の第1ファブのクリーンルームを開設する。その後、生産能力を迅速に引き上げられるよう投資を進める。先端パッケージング工場「P&T7」やNAND生産拠点「M17」などの中長期投資も、顧客需要と投資効率を踏まえて段階的に進める。

2026年下半期には、第6世代HBMであるHBM4の供給を本格的に拡大する。SKハイニックスは4〜6月期に主要顧客向けのHBM4量産供給を始めており、歩留まりと品質は前世代のHBM3Eに近い水準だと説明した。HBM4Eは顧客向けサンプル供給を終えており、2027年の量産を目指す。

同社は、HBM4の供給拡大、10ナノ級第6世代プロセスを適用した汎用DRAMの出荷増、製品構成の改善に伴う平均販売単価の上昇が、2026年下半期の業績を押し上げるとみる。7〜9月期の出荷量は、DRAMが前四半期比で約10%増、NANDは1桁台前半の増加を見込む。

キム・デヨン 韓経ドットコム記者 kdy@hankyung.com

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