サムスン電子、ブロードコムと2000億ドル規模のAI半導体同盟

2030年までの5年間、HBM供給と2ナノ受託生産で協力

サムスン電子は米半導体設計大手ブロードコム（Broadcom）と今後5年間、2000億ドル規模の先端メモリー半導体供給と人工知能（AI）チップ生産に向けたファウンドリー（半導体受託生産）協力を進める。

サムスン電子は7月24日（現地時間）、米サンフランシスコで開いた「AIサミット」で、ブロードコムと次世代AI中核インフラの構築に向けた戦略的業務協約（MOU）を結んだと発表した。調印式にはハン・ジンマン・サムスン電子ファウンドリー事業部長（社長）とホック・タン・ブロードコム最高経営責任者（CEO）ら両社の主要経営陣や政府関係者が出席した。

両社は2030年までに、メモリーとファウンドリー分野で2000億ドル超の戦略協力を推進する。AI半導体全般で技術協力も大幅に広げることで一致した。

メモリー・ファウンドリーの一括協業

今回の提携は単なる先端メモリー供給にとどまらない。AIチップ生産に向けたファウンドリーと先端パッケージングまで含むターンキー（一括工程）の協業体制を構築した点に意味がある。

ブロードコムはグーグルなど世界のビッグテック向けにAIカスタム半導体（ASIC）を設計する代表的なファブレス企業だ。グーグルのAI半導体TPUの開発にも関わっている。こうしたチップには高帯域幅メモリー（HBM）の搭載が欠かせない。世界のビッグテックが独自のAIアクセラレーター導入を大幅に増やしており、ブロードコムの役割も大きくなっている。

サムスン電子は今回の協力を通じ、第6世代のHBM4や第7世代のHBM4Eなど次世代HBMを含む先端メモリーソリューションを供給する予定だ。同時に2ナノメートル以下の先端ファウンドリー工程と先端パッケージング技術を活用し、ブロードコムの次世代AI半導体の生産を支援する。

半導体設計と工程を初期段階から最適化し、チップ設計から先端パッケージング、量産に至る全工程を連携させる。製品開発期間を短縮し、性能と電力効率を最大化する方針だ。

平沢で生産へ

ブロードコムの次世代AIチップは、サムスン電子のファウンドリー生産拠点である平沢キャンパスで生産される可能性が高い。

サムスン電子のDS（デバイスソリューション）部門長を務めるチョン・ヨンヒョン副会長は「AI時代には、メモリーとロジック、先端パッケージングが緊密に統合された半導体ソリューションが中核競争力になる」と強調した。そのうえで「ブロードコムとの協力を拡大し、未来のAIインフラ発展を加速させ、顧客により大きな価値を提供する」と語った。

ブロードコムの半導体ソリューショングループを率いるチャーリー・カワス社長も「サムスン電子との協力を通じ、多様化する市場の需要に最適化した次世代ソリューションをともに作っていく」と述べた。

キム・チェヨン記者 why29@hankyung.com