SKハイニックス、HBMの発熱抑える「iHBM」公開

HBM内部に冷却要素、熱管理を改善

SKハイニックスは5月26日、高帯域幅メモリー（HBM）の性能向上につながる新技術「iHBM」を公開した。一体型冷却要素（ICE）で発熱を抑え、HBMの構造的な限界を改善できるという。

同社は5月26日、HBM内部にICEを入れて追加の放熱経路をつくるiHBM技術を開発したと発表した。電気は通さない一方、熱伝導率の高いシリコン素材を使った。

同社によると、この技術によりHBMと画像処理半導体（GPU）をつなぐD2D PHY（半導体直接接続インターフェース）区間の発熱密度を制御できる。D2D PHY区間は、HBMのベースダイと人工知能（AI）向け高速ダイの間で超高速データ通信を可能にする物理的な接続経路で、通常は発熱が最も大きい部分に挙げられる。

これまでHBMは、熱をコアダイを通じて外部に逃がす方式に依存してきた。HBMは単層のDラムを高層に積み重ねた構造で、チップを積むほど性能は高まる半面、発熱も大きくなることが課題だった。iHBMを適用すれば、こうした問題を改善し、熱抵抗を従来比で30％以上下げられるという。高温・高負荷環境でも安定した動作特性を確保できるとしている。

iHBMを活用した製品の量産も可能という。SKハイニックスは独自技術の「アドバンストMR-MUF」工程をiHBMに取り入れた。この工程は、半導体チップを積層した後、チップ間の空間に液状の保護材を注入して硬化させる方式だ。小型で薄型の半導体を効率的に生産するウェーハレベルパッケージ（WLP）工程との相乗効果を見込める点が強みだ。

SKハイニックスはiHBM技術をHBM5（第8世代）など次世代製品に適用する計画だ。イ・ガンウク副社長は「iHBMはメモリー設計力と先端パッケージング技術を組み合わせて開発した最適なソリューションだ」と語った。そのうえで「AI環境で顧客が求める価値を先回りして提供し、市場でのリーダーシップをさらに強化する」と強調した。

ウォン・ジョンファン記者 won0403@hankyung.com